2015 Program 


Special Topics

显示周学术会议

显示周学术会议: 星期 三, 6月3日2015年

21.1
Gang Yu
CBRITE, Inc.
高产能 MOTFT 包含了有机蚀刻阻挡和闸极绝缘层 9:00 AM-9:20 AM
金属氧化物 TFT (MOTFT) 将应用在下一代信息内容丰富的显示器如可携式产品和电视屏幕等,潜力无限。我们目前制造实力延续当初 a-Si TFT 建置结果;若我们能将 MOTFT 架构流程适当地建筑在现行 a-Si TFT生产在线,而仅需少部份升级和相关资金投入,这将十分理想。为此我们运用有机蚀刻阻挡 (organic etch stopper),并开发了下闸极 (bottom-gate) 、上源极 (source) / 汲极 (drain) MOTFT,性能上满足产品的规格。采用此 MOTFT 的背板制程的光罩数 (mask counts) 可与 BCE 制程相同。
21.2
Shinji Matsumoto
Ricoh Co., Ltd.
可靠度高的氧化物 TFT,利用全印刷制程产生新型氧化钝化层 9:20 AM-9:40 AM
我们已经开发了可靠度高的氧化物 TFT 数组 (array),从闸极 (gate) 至钝化层 (passivation layer),制程无光罩全印刷,且具有 100 ppi RGB 分辨率。经过 10 万秒的时间,且温度是 50℃ 的正负偏压温度应力 (bias temperature stress) 下,临界电压偏移 (threshold voltage shifts) 分别小于 0.8 V 和 0.3 V。
21.3
Joon-Young Yang
LG Display Co., Ltd.
新型五光罩蚀刻阻文件像素结构,具有短信道距离的氧化半导体 TFT 9:40 AM-10:00 AM
我们推出新型的五光罩蚀刻阻档 (ES) 像素结构,其具有 5 微米的通道长度,比传统七光罩制程相较,减少了二道步骤。我们不但做到了 5 微米通道长度 TFT 的极佳特性,同时在 R&D 实验室内我们也实现了 9.7 英吋 QXGA 分辨率的面板,加上我们推出的新型像素结构。
21.4
David Lynch
Cornell University
CAAC IGZO 的沉淀状态和高分辨率电显特色 10:00 AM-10:20 AM
CAAC IGZO 有希望改善 TFT 装置的稳定性和断电流的情形。我们使用 X 光衍射 (diffraction) 和高分辨率的穿透式电子显微镜 (TEM) ,就可以量化 CAAC 射频溅射沉积的状态。该状态形成在沉积参数 (deposition parameters) 与晶粒取向 (grain alignment) 呈 ± 9O 度时,而且发生的沉积参数范围极广。一旦沉积温度变高,多晶薄膜 (polycrystalline films) 就会形成,而晶粒取向能力则逐渐消失。