2015 Program 


Special Topics

显示周学术会议

显示周学术会议: 星期 三, 6月3日2015年

29.1
Miki Trifunovic
Delft University of Technology
在纸相容温度下,溶液处理的多晶矽 TFT 制程 10:40 AM-11:00 AM
有机与金属氧化物半导体 (metal-oxide semiconductor) 制成的印刷 TFT 在电气性能与可靠度上比晶矽TFT 差。环戊矽烷 (Cyclopentasilane) 为液体化合物,经过 UV 聚合与 350ºC 热退火 (thermal annealing) 可以转化为固体矽,让矽装置可以印制。由于添加法的应用,此制程大为简单且便宜。但热退火对 PET、PEN 或纸等便宜基板来说温度太高。我们首次在最高温 150ºC 下应用液态矽油墨制作多晶矽与 TFT,并以准分子雷射退火 (excimer laser annealing) 取代热退火步骤。我们在便宜的纸基板上制成多晶矽。此方法可以有其他新应用,例如可生物分解的高速 ID 标签,其上附有供物联网使用的感测器,此装置可以透过卷对卷 (roll-to-roll) 流程大量生产,而且制造成本非常低廉。
29.2
Mao Takashima
Thin Film Electronics, Inc.
在 300 毫米不锈钢箔基板上制成以汐墨为基底多晶矽 CMOS TFT 11:00 AM-11:20 AM
雷射结晶CMOS TFT 是应用矽油墨在300 毫米薄不锈钢基板上制成。此流程一向用来制作以半导体等级油墨制成的逻辑电路(logic circuit) 装置,而该装置具有与PECVD 相等的TFT 特性。这项技术为制作大量且低成的RF 打下基础(RF指的是:有13.56 MHz 显示器与感测系统整合的软性耐用基板,又薄、面积又大。)
29.3
Di Geng
Kyung Hee University
应用松散堆积 a-IGZO TFT 的集成式闸极驱动电路,加在高解析度可挠式 AMOLED 显示器上 11:20 AM-11:40 AM
我们将此高解析度可挠式 AMOLED 显示器加装间距 40 微米的集成闸极驱动电路 (integrated gate-driver),放置在塑胶上展示。闸极驱动电路采用松散堆积 a-IGZO TFT,在 VDD 为 20 V 时,其以机械弯曲半径 2 毫米与时钟频率 250 kHz运作,等于 2 μs 的脉冲宽度。
29.4
Soeren Steudel
imec
加装整合闸极驱动电路的可挠式 AMOLED 显示器,其运作速度与 4k x 2k 显示器的速度相容 11:40 AM-12:00 PM
我们展示的是一个解析度为 250 ppi 的 QVGA 上发光 AMOLED 显示器,采用自我校准的 IGZO TFT 背板,并放置在完全屏障的聚醯亚胺基板上。背板的加工流程是以 7 层光刻流程为基础。另外,我们也展示一个整合闸极驱动电路 (integraetd gate driver),其运作速度等于 4k x 2k 显示器的速度。