2015 Program 


Special Topics

显示周学术会议

显示周学术会议: 星期 三, 6月3日2015年

33.1
Tadahiko Hirai
CSIRO
新型垂直发光电晶体 3:30 PM-3:50 PM
我们完成一个新型的垂直发光电晶体 (vertical-type light-emitting transistors, VLTs),结合金属氧化物电晶体与有机发光二极管 (organic light emitting diode, OLED)。在初始VLT 装置中,开/ 关比(ON/ OFF ratio) 为3.7,而增益 (Gain) 为16.7。此外,我们也完成一个 42” 4K VLT 面板,装置在传统非晶矽 (amorphous silicon, a-Si) 背板上,并附加高速回馈补偿电路。
33.2
Mutsumi Kimura
Ryukoku University
应用 TFT 的神经元 MOS 装置 3:50 PM-4:10 PM
我们应用 TFT 开发出神经元 MOS 装置。这些装置具备以电容连接的多输入浮动闸极终端 (floating and multiple input gate teminals)。我们评估了神经元 MOS 电晶体与神经元反流器 (neuron inverter),后者可以作为可变阈值电压反流器,另外我们也评估了一个全能逻辑电路。此神经元 MOS 装置极可能适用于人工神经元网路。
33.3
Alan Heeger
University of California, Santa Barbara
由高分子半导体制成的高速迁移率场效电晶体 4:10 PM-4:30 PM
本文介绍以自组装的单向校列 (self-assemble unidirectional alignment) 和有效率的电荷传输 (efficient charge transport) 为一般策略,适用于放置在粗糙化Si/SiO2 基板上的高分子半导体膜 (semiconducting polymer films)。在一倾斜通道系统中,我们利用三明治铸造法 (sandwich casting),由功能化的间隙子 (spacers) 产生毛细作用,在基板上沿着单轴奈米沟槽自组装成高分子半导体。透过玻璃间隙子的不同表面处理方式,我们可以自行控制毛细作用的强度。装置的迁移率 (mobility) 超过50 cm2/Vs。本文将会详细介绍定向自组装技术 (Directed Self-Assembly),也会依据初始能带结构(band structure) 的计算结果讨论高迁移率的数据。
33.4
Hsing-Hung Hsieh
Polyera Taiwan Corp.
可挠式 IGZO TFT 的有机闸绝缘体,具突破性、光图型化与热稳定等特性 4:30 PM-4:50 PM
我们开发一个 IGZO TFT 专用的新型有机闸绝缘体; 它不但能光图型化 (photo-patternable) 而且具热稳定 (thermally stable)。可挠式IGZO TFT 结合最佳化装置平台,并展现出突破性能,其中包括高速迁移率、可忽略的迟滞 (negligible hysteresis)、良好的热稳度性、偏压温度稳定性 (bias-temperature stress stablity) 等。目前我们正在制作一个运用这些技术的可挠式 AMOLED。
33.5
Kazuhiro Fukada
Japan Advanced Institute of Science and Technology
如何利用全网印,制造出氧化物半导体 TFT 主动矩阵背板 4:50 PM-5:10 PM
我们利用网版印刷 (screen printing),作了一个氧化物半导体薄膜电晶体主动矩阵背板 (TFT AMBP)。我们利用此全新设计成功制出一个全网印 TFT AMBP。此网版印刷方式不仅可以应用在印制组装用的电极,还可以应用在印制大型电子装置的多层图案。