2015 Program 


Special Topics

显示周学术会议

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年

51.1
Chih-Yu Su
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.
迁移率与可靠度高的 a-IGZTO TFT 1:30 PM-1:50 PM
本文探讨一高迁移率的铟镓锌锡氧化物 ( Indium-Gallium-Zinc-Tin-Oxide a-IGZTO ) TFT 。此种新型 TFT 场的效迁移率 (field effect mobility) 可达 24.7 cm2/Vs,且可靠度与 a-IGZO TFT 相当。除此之外,结果显示,由 a-IGZTO TFT 制造的 4Kx2K AMOLED TV 效能卓越。
51.2
Liangchen Yan
BOE Technology Group Co. Ltd
为 AMOLED 而开发的高迁移率之氮氧化锌 TFT 1:50 PM-2:10 PM
现在已开发出用氮氧化锌 (Zinc Oxynitride ZnON) 当做主动层的蚀刻阻挡 (etch stopped) 结构 TFT ,且组件迁移率 (saturation mobility) 超过 50 cm2/Vs。ZnON TFT 的 I-V 表现佳且较均匀。本文探讨由 ZnON TFT 驱动的 14 英吋 WOLED 面板,并评估此类面板的高温运作及低温运作可靠度。
51.3
Ming-Yen Tsai
National Sun Yat-Sen University
利用多重主动层结构提高 TFT 的迁移率 2:10 PM-2:30 PM
本文使用含有多重主动层的氧化物 TFT,讨论增进迁移率的方法。主动层照导电性不同,依序镀上 (deposit) ,此步骤可使用不同的材料和处理情形。多重主动层作为载子局限结构 (carrier confinement structure) ,包含底层、中层、顶层。中层的载子浓度较底层和顶层高,因此主要通道电流 (main channel current) 留经中层,防止闸极电介层 (gate insulator) /主动层和主动层/保护层 (passivation) 之间的干扰,进而提高迁移率。结果显示多重氧化物 TFT 与单层相比,迁移率较高,达到 46.5 cm2/Vs。
51.4
Xiangfeng Duan
Unversity of California at Los Angeles
以氧/ 碳异质结构制成高性能柔性 TFT 2:30 PM-2:50 PM
透明氧化物为新的 TFT 材料,逐渐受到重视,但因电子效能与机械弹性 (mechanical flexiblity) 低,因此使用受限。本文探讨使用氧/ 碳奈米管复合材料 (oxide/carbon nanotube composite) 与碳/ 石墨烯垂直异质结构 (oxide/graphene vertical heterostructures ) 增进 TFT 电子特性和前所未见的机械弹性。