2015 Program 


Special Topics

显示周学术会议

显示周学术会议: 星期 四, 6月4日2015年


57.1
Myung-Koo Kang
Samsung Electronics Co.
使用光压诱发晶核形成技术的高效能 Poly-Si TFT 3:10 PM-3:30 PM
我们在此提出一个利用光压诱发晶核形成 (pressure-induced nucleation, PIN) 来改善多晶硅薄膜晶体管 (poly-Si TFT) 的简单方法。经过 PIN 形成的 TFT 只经过 6 次雷射曝光就能展现大于 160 cm2/Vs 的高场效迁移率 (high field-effect mobility)。
57.2
Mototaka Ochi
Kobe Steel, Ltd.
BCE-TFT 搭配可兼容铜导线与铝导线的 IGZTO 半导体 3:30 PM-3:50 PM
们开发出一款铟镓锌钖氧化物 ( IGZTO) 半导体 ,此款氧化物半导体是能够高度抗酸蚀的通道材料。IGZTO TFT主要是靠后通道蚀刻 (Back Channel Etch, BCE) 实现,且 BCE 不只为铝导线 (Al interconnections) 用了传统的磷酸、醋酸及硝酸蚀刻 (PAN etchant) ,还为铜导线 (Cu internnections) 用了以二氧化二氢为主的蚀刻 (H2O2-based etchant) 。
57.3
Makoto Kaneyasu
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
新画素电路:利用晶氧半导场效晶体管之闸极偏压以控制临界电压 3:50 PM-4:10 PM
我们研发了一款利用背闸偏压 (back-gate bias voltage) 的临界电压补偿画素电路 (threshold voltage compensation pixel circuit)。临界电压的变量能够降到10%,驱动晶体管 (driving transistor) 的饱和特性则能得到提升。我们有一款 5.29 英吋 Quad-VGA OLED 显示器即是使用这款画素电路。
57.4
Ananth Dodabalapur
The University of Texas at Austin
非晶氧化 TFT 的装置原理 4:10 PM-4:30 PM
本报告将回顾三个项目:高/低于临界传输的电荷、降低缺陷密度 (trap density) 的技巧,与非晶态金属氧化物晶体管 (amorphous metal oxide transistors)的装置架构。报告针对的非晶态金属氧化物晶体管是以溶液制造的,为最先进的非晶态金属氧化物晶体管。此外,报告将讨论非晶铟镓锌氧化物 (amorphous zinc tin oxide) 与其它系统的半导体。