2015 Program 


Special Topics

显示周学术会议

显示周学术会议: 星期 四, 6月5日2015年


63.1
Naoki Ueda
Sharp Corp.
采用 InGaZnO 的超高密度 736-ppi LCD 9:00 AM-9:20 AM
我们开发出一款 736ppi (WQXGA) 的 LCD, 像素密度达 4K ,是智能型手机首款采用氧化物半导体的 LCD。运用可大量规模化的信道蚀刻型 InGaZnO TFT ,加上新型透明接触结构 (transparent contact structure) 而成。我们使用制造背板用的图案尺寸 (patterning dimension) ,达成超过 50% 的开口率 (aperture ratio) 。
63.2
Takashi Nakamura
Japan Display, Inc.
采用通道宽度 1.5-µm LTPS-TFT 的 2k x 4k 550-ppi 内嵌式触控 TFT-LCD 9:20 AM-9:40 AM
我们开发出一款 2K x 4K 像素密度 550 ppi 的 LTPS TFT-LCD。本产品储存电容 (storage capacitance) 的通道较窄,绝缘体也较细,因此在垂直串音 (vertical cross-talk) 与电压闪烁 (flicker) 方面能够达到较高的显示质量。另外,本产品也采用 RGBW 像素技术与额外的 30Hz 帧率驱动(frame rate driving)以提供不影响显示质量的低耗能模式。
63.3
Kenichi Okazaki
Advanced Film Device, Inc.
制作 8K x 4K 有机 EL 面板时,采用高迁移率 IGZO 材料 9:40 AM-10:00 AM
此款 13.3 英吋 8K x 4K OLED 显示器采用以高迁移率 IGZO 为材料的氧化物半导体。我们发现使用迁移率较高的材料能够减少闸极驱动电路 (gate driver) 的大小与耗电量,此外,堆栈这样的氧化物半导体层能够增加制程的稳定性。
63.4
bo-liang Yeh
AU Optronics Corp.
使用后通道蚀刻氧化物 TFT (BCE-Type TFT) 的 4K x 2K 65 吋高效能电视 10:00 AM-10:20 AM
本文探讨使用氧化物薄膜晶体管 (TFT) 效能的 4K x 2K 65 英吋电视。不正常的次临界漏电流 (subthreshold leakage current) 在高温下是因主动层块材 (active layer bulk) 与 GI/主动层接口而造成的。本文最后探讨之情况只适用于一种特定类型装置的 Vt 偏移 (-1V),即是在 NBIS 下以色料作为保护层 (passivation layer) 的装置。